DDR2 память для ноутбука, компьютера. Обзор, характеристики, цены, особенности

Как решит покупатель

Покупатель — не инженер-разработчик; помимо технических характеристик покупателю не менее важна будет и цена самого продукта.

На старте продаж нового поколения любого компьютерного железа его стоимость стандартно окажется более высокой. Та же самая оперативная память нового типа поначалу приходит на рынок с очень большой ценовой разницей по сравнению с предыдущим.

Однако же прирост в производительности между поколениями в большинстве приложений если и вообще не отсутствует, то составляет просто смешные показатели, явно не достойные больших переплат. Единственный верный момент для перехода на новое поколение оперативки — максимальное падение его ценника до уровня предыдущего (такое в сегменте продаж SDRAM происходит всегда, это же было в случае с DDR2 и DDR3, это же сейчас произошло в случае с DDR3 и новенькой DDR4). И только лишь тогда, когда цена переплаты между последним и предыдущим поколением будет составлять самый минимум (что адекватно для небольшого прироста производительности), то только в этой ситуации можно задумываться о замене оперативной памяти.

В свою очередь, владельцам компьютеров с DDR2-памятью обзаводиться новым типом оперативки рациональнее всего только при основательном апгрейде с соответствующей заменой процессора, поддерживающего этот самый новый тип, и новой материнской платой (и то на сегодняшний день имеет смысл апгрейдиться до уровня компонентов, поддерживающих DDR4-память: ее нынешняя цена находится наравне с DDR3, а прирост между четвёртым и вторым поколением будет куда более ощутимым, нежели между третьим и вторым).

В ином же случае, если подобный апгрейд пользователем совершенно никак не запланирован, то вполне можно обойтись той же DDR2, цена на которую сейчас относительно низкая. Достаточно будет лишь увеличить при необходимости общий объём оперативки аналогичными модулями. Допустимые лимиты памяти этого типа даже сегодня с лихвой покрывают все нужды большинства юзеров (в большинстве случаев достаточно будет установки дополнительного модуля DDR2 2Gb), а отставание в производительности со следующими поколениями совершенно некритичными.

Минимальные цены на модули оперативной памяти (учтены только образцы проверенных брендов Hynix, Kingston и Samsung) могут варьироваться в зависимости от региона проживания покупателя и выбранного им магазина.

Один на один с третьим поколением

Помимо традиционной обратной несовместимости, DDR3 представлял ряд нескольких технических нововведений в стандарты оперативной памяти:

• Максимально поддерживаемый объём для серийных материнских плат увеличился с 16 до 32 Гб (при этом показатель одного модуля мог достигать 16 Гб вместо прежних 8).
• Более высокие частоты передачи данных, минимум которых составляет 2133 МГц, а максимум — 2800 МГц.
• Наконец, стандартное для каждого нового поколения уменьшенное энергопотребление: 1,5 В против 1,8 В у второго поколения. Помимо этого, на основе DDR3 были разработаны ещё две модификации: DDR3L и LPDDR3, потребляющие 1,35 В и 1,2 В соответственно.

Вместе с новой архитектурой также повысились тайминги, однако падение производительности от этого нивелируется более высокими рабочими частотами.

Старичок, не теряющий формы

Своим появлением второе поколение вызвало немало шума в компьютерных кругах, что и обеспечило ей немалую популярность и отличные продажи. DDR2, как и предшествующее ей поколение, могла передавать данные по обоим срезам, однако более быстрая шина с возможностью передачи данных значительно повысила её работоспособность. К тому же положительным моментом было и более высокая энергоэффективность — на уровне 1,8 В. И если на общей картине энергопотребления компьютера это едва ли хоть как-то сказывалось, то на срок службы (особенно при интенсивной работе железа) это влияло сугубо положительно.

Однако технологии перестали быть таковыми, если бы не развивались в дальнейшем. Именно это и случилось с появлением следующего поколения DDR3 в 2007 году, задачей которого было постепенное, но уверенное вытеснение с рынка устаревающей DDR2. Однако действительно ли это «устаревание» означает полную неконкурентоспособность с новой технологией?

Выбор редакции

се представленные для тестирования модули были условно разделены на три группы в соответствии с их спецификацией. В первую группу попали модули, частота работы которых составляет 533 МГц, во вторую группу модули с частотой 667 МГц, а в третьей группе оказались модули с частотой работы 800 МГц и более.

Поскольку описание модулей дано в алфавитном порядке, здесь мы приведем распределение модулей по группам. Первая группа: A-DATA Vitesta DDR2 533 (M2OAD2G3H3160F1B52), Kingmax Mars DDR2-533 (KLBC28F-A8KH4), OCZ PC2-4200 (Gold Edition), Samsung DDR2-533 (M378T6453FG0-CD5), Super Talent T533UX1GB и Transcend TS64MLQ64V5J; вторая группа: GEIL GX25125300X и Patriot PSD251266781; третья група: A-DATA Vitesta DDR2 800 (M2OEL6F3H4170A1E0Z), Corsair CM2X512-8000UL и Kingston HyperX KHX7200D2/512.

Знак «Выбор редакции» присуждался одному комплекту модулей памяти в каждой группе.

В первой группе знаком «Выбор редакции» мы отметили комплект модулей памяти Transcend TS64MLQ64V5J; во второй Patriot PSD251266781; в третьей Corsair CM2X512-8000UL.

DDR2-память от первых дней на рынке до заката популярности

DDR2 — это второе поколение динамической памяти с произвольным доступом (от англ. Synchronous Dynamic random access memory — SDRAM), или же, в привычной для любого пользователя формулировке, следующее после DDR1 поколение оперативной памяти, получившей широкое распространение в сегменте персональных компьютеров.

Будучи разработанным в далёком 2003 году, полноценно закрепиться на рынке новый тип смог лишь к концу 2004-го — только на тот момент появились чипсеты с поддержкой DDR2. Активно разрекламированное маркетологами, второе поколение было представлено как чуть ли не в два раза более мощная альтернатива.

Что стоит в первую очередь выделить из различий, это способность работать на значительно более высокой частоте, передавая данные дважды за один такт. С другой стороны, стандартным негативным моментом поднятия частот является увеличение времени задержки при работе.

Наконец, к середине 2000-х новый тип основательно ущемил позиции предыдущего, первого, и лишь только к 2010 году DDR2 была значимым образом потеснена пришедшей на замену новинкой DDR3.

Особенности устройства

Распространяемые модули ОЗУ DDR2 (в обыденной речи принявшие название «плашки») обладали некоторыми отличительными особенностями и разновидностями. И хоть обилием вариаций новый для своего времени тип памяти откровенно не поражал, однако даже внешние различия сразу же бросались в глаза любому покупателю с первого взгляда:

• Односторонняя/двухсторонняя планка-модуль SDRAM, на котором микросхемы расположены с одной или двух сторон соответственно.
• DIMM — стандартный на сегодняшний день форм-фактор для SDRAM (синхронная динамическая оперативная память, коей и является DDR2). Массовое использование в компьютерах общего предназначения началось ещё с конца 90-х годов, чему главным образом способствовало появление процессора Pentium II.
• SO-DIMM — укороченный форм-фактор модуля SDRAM, разработанный специальным образом для портативных компьютеров. Плашки SO-DIMM DDR2 для ноутбука обладали несколькими существенными отличиями от стандартных DIMM. Это модуль с меньшими физическими размерами, пониженным энергопотреблением и, как следствие, меньшим по сравнению со стандартным DIMM-фактором уровнем производительности. Пример модуля ОЗУ DDR2 для ноутбука можно увидеть на фото ниже.

Методика тестирования

ри
проведении тестовых испытаний модулей памяти в первую очередь была поставлена
задача исследовать характеристики в реальных условиях. Исходя из этого, мы решили
провести наше тестирование в два этапа. В первом были проведены испытания памяти
без изменения таймингов, то есть в режиме By SPD. На втором этапе производилось
уменьшение таймингов памяти до уровня, когда система еще сохраняла возможность
стабильной работы. Означенная стабильность проверялась путем проведения трехразового
прохода теста 3DMark 05.

В качестве стенда для проведения тестирования мы использовали следующую конфигурацию:

• процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition (3,4 ГГц);
• материнская плата: ASUS P5AD2 Premium;
• видеоподсистема: Intel Graphics Media Accelerator (GMA) 900;
• жесткий диск: Maxtor MaxLine III 250GB SATA150.

Тестируемые модули памяти функционировали в двухканальном режиме.

Существует два способа увеличить производительность системы путем изменения
характеристик памяти: за счет изменения таймингов памяти и за счет повышения
частоты шины памяти и системной шины. Несмотря на то что производители материнских
плат поддерживают асинхронный режим работы шины памяти и системной шины, поднять
частоту шины памяти выше частоты системной шины невозможно. Для увеличения частоты
шины памяти соответственно необходимо увеличивать частоту системной шины, что
в итоге приводит к увеличению частоты процессора. Таким образом, на разгон системы
влияют уже два фактора  память и процессор. И в данном случае мы теряем контроль
над тем, в какой степени память влияет на рост производительности. Таким образом,
для увеличения производительности, обеспечивающейся исключительно возможностями
оперативной памяти, мы использовали метод уменьшения таймингов памяти. Собственно,
тайминги памяти представляют собой временные интервалы RAS to CAS Delay (tRCD),
CAS Latency (tCL) и RAS Precharge (tRP), записываемые в виде последовательности
tCL – tRCD  tRP. Чем меньше тайминги, тем более быстродействующей является
память. Если рассматривать их более детально, то RAS to CAS Delay, CAS Latency
и RAS Precharge. RAS to CAS Delay  это промежуток времени, измеряемый в тактах
системной шины, между сигналами RAS и CAS, то есть задержка подачи сигнала CAS
относительно сигнала RAS. При установке CAS в низкий уровень после прихода положительного
фронта тактирующего импульса происходит выборка адреса столбца, который в данный
момент присутствует на шине адреса, и открывается доступ к нужному столбцу матрицы
памяти. CAS Latency определяет задержку по времени в тактах, которая происходит
с момента подачи сигнала CAS до выдачи первого элемента данных на шину. Каждый
последующий элемент данных появляется на шине данных в очередном такте. Завершение
цикла обращения к банку памяти осуществляется подачей команды деактивации.

Различия оперативной памяти DDR2 и DDR3

Различия DDR2 и DDR3

При изучении спецификаций вашего ПК, вам обязательно повстречается объем, а также тип ОЗУ, который на ней установлен. С процессорами Intel (Core2 и iCore7) а также AMD (Opteron и Phenom) можно применять два типа ОЗУ (DDR2 и DDR3). Модули DDR3 это более новая технология, чем DDR2, хотя это не означает, что она всегда бывает быстрее, чем предыдущая. Новейшие модули DDR2 обладают большей скоростью, чем имеется у стандартных DDR3 модулей. Однако новые версии DDR3 обгоняются по производительности даже новые DDR2.

Тактовая частота

Международная ассоциация под названием JEDEC Solid State Technology занимается разработкой новейших стандартов относящихся к памяти. Эта ассоциация в 2009 года одновременно ввела сразу 2 поколения памяти DDR — DDR2 2-го поколения, а также DDR3 3-го поколения. В JEDEC был установлен стандарт на частоту DDR2, которая имеет диапазон 400-1066 МГц. Для памяти DDR3 установлен диапазон 1066-2200 МГц и больше.

Задержка отклика

Latency или время ожидания определяет временную задержку, которая происходит в процессоре во время обращения к ОЗУ. Измерение Latency нужно проводить для 4-х различных видов работы. Показатель Latency измеряется в наносекундах. Все операции CAS, tRP, tRCD, а также iRAS также замеряются в наносекундах. Память, имеющая более низкие задержки работают намного быстрей, чем память, имеющая высокие задержки. Обычно DDR2 обладает более низкими показателями задержки, чем более ранние версии DDR3. Модули DDR3 имеющие более современную архитектуру время задержки имеет более низкий показатель.

Нагрев

Тепло, которое исходит от компьютерных элементов, может стать причиной для нестабильной работы и уменьшения производительности. DDR2 чтобы достичь частоты в 1066 МГц необходимо больше напряжения, чем DDR3. При работе DDR2 с большим напряжением, чипами начинается выделение большего тепла. Большинством производителей в конструкции модулей ОЗУ устанавливается дополнительная охлаждающая система, компенсирующая нагрев.

Производительность

Память DDR2 стандарта может работать быстрее, чем DDR3 с этой же частотой. Среднее время задержки DDR2 (1066) а также DDR3 (1066) составляет соответственно 4-4-4-12 и 9-9-9-24. С одинаковой частотой DDR2 может выдержать меньшую нагрузку, чем DDR3. Меньшая нагрузка уменьшает время ожидания, которое устанавливается для ПК. Модули DDR3, работающие на частоте более 1066 МГц являются более быстрыми, чем DDR2.

Перспективы

Технологии по производству модулей DDR3 постоянно улучшаются, с постоянным уменьшением задержек. После того как DDR3 получила более высокие рабочие частоты и снизились задержки этот тип памяти получил преимущества над модулями DDR2. Память DDR3, которая выпускалась после 2009 года обладала тактовой частотой до 2200 МГц, и задержкой с таймингами 7-8-7-20. DDR3 с DDR2 не обладают совместимостью, поэтому рекомендуется покупать платы имеющие поддержку DDR3 стандарта, что поможет добиться максимальных результатов. Если вашему компьютеру требуется модернизация компьютера, или нужно увеличить объем оперативной памяти, вы можете обращаться в наш сервис за помощью.

Посмотрите другое :

• После установки дополнительной планки оперативной памяти компьютер не загружается, что делать?

• Дешевые игровые ноутбуки

• Игровые ноутбуки 2014 года, топ 10 лучших моделей

• Самостоятельная замена оперативной памяти на ПК и ноутбуке

• Мощь и скорость вашего компьютера

Категория: Полезные статьи

О таймингах

Тайминг — это временной интервал с момента запроса данных до считывания их с оперативной памяти. И чем больше увеличивалась частота модуля, тем дольше оперативке требовалось времени на совершение операций (не до колоссальных задержек, разумеется).

Измеряется параметр в наносекундах. Наиболее влияющим на производительность является тайминг латентности (CAS latency), который в спецификациях обозначается как CL* (вместо * может быть указано любое число, и чем оно меньше — тем оперативное будет работать шина памяти). В некоторых случаях тайминги планок указываются трёхсимвольной комбинацией (к примеру, 5-5-5), однако наиболее критичным параметром будет как раз-таки первое число — им всегда обозначена латентность памяти. Если же тайминги указаны в четырёхзначной комбинации, в которой последнее значение разительно больше всех остальных (к примеру, 5-5-5-15), то это указана длительность общего рабочего цикла в наносекундах.

Участники тестирования

Kingmax DDR2-533 (KLBC28F-A8EP4)

Модули оперативной памяти DDR2-533 (KLBC28F-A8EP4) компании Kingmax с небуферизованной
архитектурой выполнены в формфакторе SO-DIMM с 240 контактными площадками. Каждый
модуль имел объем по 512 Мбайт, и во время тестирования память работала в двухканальном
режиме. Данная память предназначена в основном для использования в материнских
платах, построенных на чипсетах Intel Express 915G/925X. Частота шины памяти
по умолчанию установлена на 266 МГц. В качестве чипов здесь используются микросхемы
Elpida. По умолчанию для работы в режиме BySPD тайминги памяти соответствуют
значениям 4-4-4-12, а в разогнанном состоянии  3-2-2-12. В итоге по результатам
теста 3DMark (учитывая результаты обоих режимов) прирост производительности
составил почти 2%.

Kingston KVR533D2N4/512

В нашем тестировании приняли участие два модуля оперативной памяти Kingston
KVR533D2N4/512 объемом по 512 Мбайт с небуферизованной архитектурой, которые
созданы для поддержки новых чипсетов Intel Express 915G/925X (Grantsdale/Alderwood).
Эти модули памяти обеспечивают скорость передачи данных 4300 Мбит/с в одноканальном
режиме и 8600 Мбит/c в двухканальном режиме. Шина памяти позволяет работать
на частоте 266 МГц, при этом тайминги памяти соответствуют значениям 4-4-4-12.
После разгона памяти путем уменьшения значений таймингов стабильная работа системы
поддерживалась при значениях 3-2-2-12. Потребление меньшего количества энергии
и меньшее рассеивание тепла достигнуты благодаря использованию FBGA-корпусировки,
ставшей уже стандартной для модулей DDR2-SDRAM. Номинальное напряжение питания
модулей составляет 1,8 В. Если сравнивать это значение рабочего напряжения с
модулями DDR SDRAM, то в данном случае очевидно двукратное снижение потребляемой
мощности. В модулях используются чипы Elpida E5108AB-5C-E, для производства
которых применялась технология ODT (On-Die Termination), позволяющая свести
к минимуму отражение сигналов на больших скоростях. Модули имеют по 240 контактных
площадок с золотым покрытием. Память Kingston KVR533D2N4/512 полностью соответствует
стандартам JEDEC.

OCZ DDR2 PC2-4200 Value Series

Тестовым испытаниям подверглись модули памяти с небуферизованной архитектурой
DDR2 PC2-4200 Value Series от компании OCZ Technology. Эта память ориентирована
на применение в самых современных и наиболее скоростных материнских платах,
построенных на наборах системной логики Intel Express 915G/925X, с возможностью
установки памяти в двухканальном режиме. В тестировании использовались два модуля
объемом по 256 Мбайт (OCZ2533256V) и два модуля объемом по 512 Мбайт (OCZ2533512V).
Частота шины памяти ориентирована на работу в режиме 266 МГц. По умолчанию для
этой частоты предусмотрены тайминги 4-4-4-12. В разогнанном режиме нам удалось
добиться стабильной работы системы при таймингах 3-3-3-12. Рабочее напряжение
у модулей памяти  1,8 В, что, как уже упоминалось, практически вдвое уменьшает
потребление энергии по сравнению с модулями DDR SDRAM. Модули памяти имеют пожизненную
гарантию и полностью соответствуют стандартам JEDEC.

PDP Patriot Signature Line DDR2 (PSD25125332)

Данная память выполнена по технологии DDR2 с небуферизованной архитектурой,
имеет частоту шины памяти 266 МГц и предназначена для работы в двухканальном
режиме. Собственно говоря, линейка Signature Line относится к недорогой памяти
со стандартными характеристиками. Для тестирования были предоставлены два модуля
объемом по 512 Мбайт каждый. Тайминги памяти в режиме By SPD, то есть в заводском
режиме, имели значения 4-4-4-12. После разгона системы значения таймингов памяти
были снижены до уровня 3-2-2-12. При этом система продолжала поддерживать стабильную
работу. Отметим, что частота шины памяти сохранилась на прежнем уровне  266
МГц. Рабочее напряжение модулей  1,8 В.

Редакция выражает признательность компании PatriArch Approved Memory
(www.memory.ru,
тел.: (095) 216-7201) за предоставление модулей
памяти для проведения тестирования.